簡易檢索 / 檢索結果

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    基於TLC快閃記憶體之保留錯誤緩解方法
    • 電子工程系 /107/ 碩士
    • 研究生： 巫偉豪   指導教授： 吳晋賢
    • 由於快閃記憶體具有有限的編程/抹除次數(P/E cycles)限制，通常在超過該上限次數後，逐漸不堪使用，而其核心原因來自於快閃記憶體單元內的寫穿(wear-out)現象，在此現象的影響下，任何資料…
    • 點閱：160  下載：0 
    • 全文公開日期 2024/08/22 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)

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    針對TLC快閃記憶體之動態霍夫曼編碼方法
    • 電子工程系 /107/ 碩士
    • 研究生： 劉家維   指導教授： 吳晋賢
    • 隨著科技的發展，NAND Flash Memory已經逐漸取代傳統硬碟(Hard Disk Drive, HDD)，成為目前主流的儲存設備。NAND Flash Memory具有體積小、低功耗、讀寫…
    • 點閱：229  下載：0 
    • 全文公開日期 2024/08/22 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)
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